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MP18871-4EGY-P
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最新产品发布: 光MOS继电器:1500v,3750Vrms,6pin; 逻辑10Mbp高隔离光耦:7500Vmrs,10Mbps,Lsop8
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这是一款采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层的隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件,高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能和高可靠性使得该芯片广泛适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。
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产品详情
Mfr Part Mfr Package Number of Channels Voltage - Isolation Common Mode Transient Immunity (Min) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max) Current - Output High, Low Voltage - Output Supply Operating Temperature
MP18871-4EGY-P Monolithic Power Systems Inc WSOP16(7.5x1.27) 2 5000Vrms 100kV/µs 50ns,50ns 500mA,4A 12V ~ 30V -40°C ~ 125°C
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