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SI8261BBA-C-ISR
最新产品发布:
光MOS继电器：1500v,3750Vrms,6pin;
逻辑10Mbp高隔离光耦：7500Vmrs，10Mbps，Lsop8
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这是一款采用二氧化硅（SiO2）作为隔离层的隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件，高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能和高可靠性使得该芯片广泛适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。
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产品详情
| Mfr Part | Mfr | Package | Number of Channels | Voltage - Isolation | Current - Output High, Low | Voltage - Output Supply | Common Mode Transient Immunity (Min) | Propagation Delay tpLH / tpHL (Max) | Operating Temperature | |
| SI8261BBA-C-ISR | Silicon | SOP8 | 1 | 3750Vrms | 500mA, 1.2A | 9.4V ~ 30V | 35kV/us | 60ns, 50ns | -40～C ~ 125～C |
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