这是一款光耦隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。隔离等级达到3.75~5.0kVRMS，芯片可提供0.8A~5A拉输出峰值电流能力。高达30V的电压有效驱动IGBT和SiC功率FET。该芯片的性能亮点包括：高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传输延迟、低脉冲宽度失真，具有可靠性和老化特性。高性能和高可靠性使得该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。